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J-GLOBAL ID：200902298622565430   Reference number：08A0812077

Origin of the Asymmetry in the Magnitude of the Statistical Variability of n- and p-Channel Poly-Si Gate Bulk MOSFETs

n-/p-チャネルポリSiゲートバルクMOSFETの統計的変動の大きさにおける非対称性の原因

Author (9)： ASENOV A. (Univ. Glasgow, Glasgow, GBR) ,  CATHIGNOL A. (STMicroelectronics, Crolles, FRA) ,  CHENG B. (Univ. Glasgow, Glasgow, GBR) ,  MCKENNA K. P. (Univ. Coll. London, London, GBR) ,  BROWN A. R. (Univ. Glasgow, Glasgow, GBR) ,  SHLUGER A. L. (Univ. Coll. London, London, GBR) ,  CHANEMOUGAME D. (STMicroelectronics, Crolles, FRA) ,  ROCHEREAU K. (STMicroelectronics, Crolles, FRA) ,  GHIBAUDO G. (Inst. Microelectronique Electromagnetisme et Photonique et le LAb. Hyperfrequences et de Caracterisation, Grenoble, FRA)
Material： IEEE Electron Device Letters  (IEEE Electron Device Lett)
Volume： 29  Issue： 8  Page： 913-915  Publication year： Aug. 2008 
JST Material Number： B0344B  ISSN： 0741-3106  CODEN： EDLEDZ  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *MOSFET ,  CMOS structure ,  first principle ,  statistical estimation ,  numerical analysis ,  simulation ,  characterization ,  CAD ,  asymmetry ,  asymmetric distribution ,  state density ,  probability density ,  *polysilicon ,  *gate(semiconductor)

JST classification (1)： Transistors  (NC03070N)

Terms in the title (9)： チャネル ,  ポリSi ,  ゲート ,  バルク ,  MOSFET ,  統計 ,  大きさ ,  非対称性 ,  原因