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J-GLOBAL ID：200902298841589824   Reference number：03A0192727

Heteroepitaxy of GaAs- and GaN-based materials on Si and their device applications.

Si基板上へのGaAs系およびGaN系結晶のヘテロエピタキシーとデバイス応用

Author (3)： UMENO MASAYOSHI (中部大 工) ,  JIMBO TAKASHI (名古屋工大 大学院) ,  EGAWA TAKASHI (名古屋工大 極微構造デバイス研セ)
Material： 応用物理  (JSAP International)
Volume： 72  Issue： 3  Page： 273-283  Publication year： Mar. 10, 2003 
JST Material Number： F0252A  ISSN： 0369-8009  CODEN： OYBSA  Document type： Article
Article type： 文献レビュー  Country of issue： Japan (JPN)  Language： JAPANESE (JA)

Thesaurus term： *silicon ,...

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JST classification (2)： Semiconductor thin films  (BK14040E) ,  Light emitting devices  (NC03082G)

Reference (93)：

• 秋山正博. 応用物理. 1988, 57, 1742
• 川辺光央. 応用物理. 1988, 1748
• 川浪仁志. 応用物理. 1988, 1754
• 梅野正義. 応用物理. 1988, 1760
• UEDA, O. Appl. Phys. Lett. 1989, 55, 445

Terms in the title (6)： Si基板 ,  GaAs ,  GaN ,  結晶 ,  ヘテロエピタキシー ,  応用