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J-GLOBAL ID：200902299044755847   Reference number：03A0186136

Implant isolation of ZnO.

ZnOの注入アイソレーション

Author (9)： KUCHEYEV S O (Lawrence Livermore National Lab., California) ,  JAGADISH C (Australian National Univ., ACT, AUS) ,  WILLIAMS J S (Australian National Univ., ACT, AUS) ,  DEENAPANRAY P N K (Australian National Univ., ACT, AUS) ,  YANO M (Osaka Inst. Technol., Osaka, JPN) ,  KOIKE K (Osaka Inst. Technol., Osaka, JPN) ,  SASA S (Osaka Inst. Technol., Osaka, JPN) ,  INOUE M (Osaka Inst. Technol., Osaka, JPN) ,  OGATA K (Osaka Inst. Technol., Osaka, JPN)
Material： Journal of Applied Physics  (Journal of General Physics and its Application to Other Sciences and to Industry)
Volume： 93  Issue： 5  Page： 2972-2976  Publication year： Mar. 01, 2003 
JST Material Number： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *isolation (IC) ,...

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JST classification (1)： Irradiational changes semiconductors  (BK16123E)

Terms in the title (3)： ZnO ,  注入 ,  アイソレーション