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J-GLOBAL ID：200902299710146010   Reference number：08A1259983

Reproducible resistance switching characteristics of hafnium oxide-based nonvolatile memory devices

酸化ハフニウムベース不揮発性メモリの再現できる抵抗スイッチング挙動

Author (2)： KIM Yong-mu (School of Advanced Materials Engineering, Kookmin Univ., Seoul 136-702, KOR) ,  LEE Jang-sik (School of Advanced Materials Engineering, Kookmin Univ., Seoul 136-702, KOR)
Material： Journal of Applied Physics  (Journal of General Physics and its Application to Other Sciences and to Industry)
Volume： 104  Issue： 11  Page： 114115  Publication year： Dec. 01, 2008 
JST Material Number： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  Document type： Article
Article type： 原著論文  Country of issue： United States (USA)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： insulating material ,  *hafnium oxide ,  sputtered deposition ,  *dielectric thin film ,  *MIM structure ,  *switching ,  *nonvolatile memory ,  bistability ,  current-voltage characteristic ,  electric conduction ,  ohmic contact ,  Poole-Frenkel effect ,  retention of memory ,  annealing (heat treatment) ,  temperature dependence ,  film thickness ,  insulator ,  *resistance switching
Semi thesaurus term： anneal

JST classification (3)： Oxide thin films  (BK14050P) ,  Metal-insulator-metal structures  (BM03087F) ,  Electric conduction in other inorganic compounds  (BM03044O)

Terms in the title (4)： 酸化ハフニウム ,  不揮発性メモリ ,  抵抗スイッチング ,  挙動