Art

J-GLOBAL ID：200902299799793773   Reference number：04A0591657

Band Lineup at the Interface between Boron-Doped P-Type Hydrogenated Amorphous Silicon and Crystalline Silicon Studied by Internal Photoemission

内部光電子放出によるほう素ドープP型水素化非晶質けい素と結晶けい素との界面でのバンド整列

Author (3)： SAKATA I (AIST, Ibaraki, JPN) ,  YAMANAKA M (AIST, Ibaraki, JPN) ,  SHIMOKAWA R (AIST, Ibaraki, JPN)
Material： Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters  (Japanese Journal of Applied Physics. Part 2. Letters & Express Letters)
Volume： 43  Issue： 7B  Page： L954-L956  Publication year： Jul. 15, 2004 
JST Material Number： F0599B  ISSN： 0021-4922  Document type： Article
Article type： 短報  Country of issue： Japan (JPN)  Language： ENGLISH (EN)

Thesaurus term： *silicon ,...
Semi thesaurus term： conduction band ,...

   To see more with JDream III (charged).   {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=04A0591657&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=F0599B") }}

JST classification (2)： Semiconductor-semiconductor contacts without Gr.13-15 element compounds  (BM03083P) ,  Electronic structure of crystalline semiconductors  (BM02060N)

Reference (20)：

• 1) H. Matsuura and H. Okushi: Amorphous and Microcrystalline Semiconductor Devices Volume II, ed. J. Kanicki (Artech House, Boston, 1992) p. 517.
• 2) H. Mimura and Y. Hatanaka: Appl. Phys. Lett. 50 (1987) 326.
• 3) H. Eschrich, J. Bruns, L. Elstner and C. Swiatkowski: J. Non-Cryst. Solids 164–166 (1993) 717.
• 4) M. Sebastiani, L. Di Gaspare, G. Capellini, C. Bittencourt and F. Evangelisti: Phys. Rev. Lett. 75 (1995) 3352.
• 5) S. Gall, R. Hirschauer, M. Kolter and D. Braunig: Sol. Energy Mater. and Sol. Cells 49 (1997) 157.

Terms in the title (8)： 光電子放出 ,  ほう素 ,  ドープ ,  水素化 ,  非晶質けい素 ,  結晶けい素 ,  界面 ,  バンド整列