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J-GLOBAL ID：200903000005138804

固体撮像素子及び装置

Inventor： 倉本 哲次 ,  中川 眞
Applicant, Patent owner： 株式会社リコー
Agent (1)： 野口 繁雄
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2006075858
Publication number (International publication number)：2007251074
Application date： Mar. 20, 2006
Publication date： Sep. 27, 2007
Summary：

【課題】フォトダイオードの深い領域で生成された信号キャリアに起因する残像現象を、感度を低下させることなく抑制する。【解決手段】酸素濃度が14×1017/cm3以下であるシリコン基板2の主表面側に、フォトダイオード22を構成する複数のN+拡散領域4が互いに離間して形成されている。シリコン基板2がアノード、N+拡散領域4がカソードとなってフォトダイオードのPN接合を形成している。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

半導体層の主表面に画素ごとに形成されたフォトダイオードを備えた固体撮像素子において、 前記半導体層に含まれる酸素濃度が14×1017/cm3以下であることを特徴とする固体撮像素子。

IPC (4)：

H01L 27/146 ,  H01L 31/10 ,  H04N 5/33 ,  H04N 5/335

FI (5)：

H01L27/14 A ,  H01L31/10 A ,  H04N5/33 ,  H04N5/335 P ,  H04N5/335 U

F-Term (26)：

4M118AA01 ,  4M118AB01 ,  4M118BA14 ,  4M118CA03 ,  4M118CA09 ,  4M118CA18 ,  4M118FA06 ,  4M118FA28 ,  4M118FA34 ,  4M118FA42 ,  4M118GA10 ,  5C024AX06 ,  5C024CX17 ,  5C024CX41 ,  5C024CY47 ,  5C024GX03 ,  5C024GX16 ,  5F049MA02 ,  5F049MB03 ,  5F049NA20 ,  5F049NB05 ,  5F049PA09 ,  5F049PA18 ,  5F049QA03 ,  5F049RA08 ,  5F049SS03

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (3)

• 固体イメージセンサ及び固体イメージセンサの製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-334055   Applicant：三菱電機株式会社
• 特許第3457551号公報
  
• 固体撮像装置およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-246234   Applicant：三菱電機株式会社

Cited by examiner (3)

• 特開昭57-041080
  
• 固体撮像装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-369257   Applicant：シャープ株式会社
• 特開昭57-041080