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J-GLOBAL ID：200903022921087631

固体撮像装置

Inventor：
渡辺 恭志

About 渡辺 恭志


Applicant, Patent owner：
シャープ株式会社

About シャープ株式会社


Agent (1)： 山本 秀策
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001369257
Publication number (International publication number)：2003169256
Application date： Dec. 03, 2001
Publication date： Jun. 13, 2003
Summary：
【要約】【課題】 電荷転送不良により発生する残像現象を解消すると共に、転送ノイズも大幅に低減できる高感度で高画質の固体撮像装置を提供する。【解決手段】 電源供給パルス用垂直走査回路24は、電荷転送用垂直走査回路23から電荷転送パルス電圧VTX(i)のハイレベル電圧をトランスファ用トランジスタ2のゲートに供給する信号電荷転送動作後に、トランスファ用トランジスタ2およびリセット用トランジスタ3が共にオン時に、リセット用トランジスタ3のドレイン端子に供給されるハイレベル電源電圧VD(i)を一旦ローレベル電位にする。このため、フォトダイオード1Aのピンニング層以外の非空乏化表面領域において熱放出により過剰に排出された電荷が、そのドレイン領域からのスキミング動作により穴埋めされる。
Claim (excerpt)：
一または複数の画素部を有し、該画素部は、光電変換素子からトランスファゲートを介して信号電荷検出部が設けられ、該信号電荷検出部からリセットゲートを介して所定の半導体領域が設けられ、該半導体領域から該電荷検出部への電源電圧によるリセット動作後に該光電変換素子から該信号電荷検出部への信号電荷転送動作を行う固体撮像装置において、該光電変換素子の半導体表面領域のうち少なくとも一部領域がピンニング層で覆われており、該信号電荷転送動作後の該トランスファゲートおよびリセットゲートのオン時に、該半導体領域への該電源電圧のハイレベル電位を一旦ローレベル電位に変化させる電源電位制御手段を有した固体撮像装置。
IPC (2)：
H04N 5/335 ,  H01L 27/146
FI (3)：
H04N 5/335 P ,  H04N 5/335 E ,  H01L 27/14 A
F-Term (11)：
4M118AA05 ,  4M118AB01 ,  4M118BA14 ,  4M118CA04 ,  4M118FA06 ,  4M118FA26 ,  4M118FA33 ,  4M118FA50 ,  5C024CX17 ,  5C024GX03 ,  5C024GY31
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (5)
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