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J-GLOBAL ID:200903000022640173

深紫外レーザー光の発生方法および深紫外レーザー装置

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 上島 淳一
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2005271429
Publication number (International publication number):2007086108
Application date: Sep. 20, 2005
Publication date: Apr. 05, 2007
Summary:
【課題】深紫外域の波長の深紫外レーザー光を効率よく発生させ、高出力化する。【解決手段】1μm帯の波長のレーザー光の第4高調波を発生し、上記第4高調波と1.4〜1.5μm帯の波長のレーザー光との和周波発生によりレーザー光を発生し、上記和周波発生により発生したレーザー光と上記1.4〜1.5μm帯の波長のレーザー光との和周波発生により波長が200nm以下のレーザー光を発生する深紫外レーザー光の発生方法において、上記1μm帯とは1063〜1065nmであり、上記1.4〜1.5μm帯とは1410〜1424nmであって、波長が200nm以下のレーザー光として波長193.3〜193.5nmのレーザー光を発生する。【選択図】 図1
Claim (excerpt):
1μm帯の波長のレーザー光の第4高調波を発生し、前記第4高調波と1.4μm帯の波長のレーザー光との和周波発生によりレーザー光を発生し、前記和周波発生により発生したレーザー光と前記1.4μm帯の波長のレーザー光との和周波発生により波長が200nm以下のレーザー光を発生する深紫外レーザー光の発生方法において、 前記1μm帯とは1063〜1065nmであり、前記1.4μm帯とは1410〜1424nmであって、波長が200nm以下のレーザー光として波長193.3〜193.5nmのレーザー光を発生する ことを特徴とする深紫外レーザー光の発生方法。
IPC (2):
G02F 1/37 ,  H01S 3/109
FI (2):
G02F1/37 ,  H01S3/109
F-Term (14):
2K002AB12 ,  2K002BA04 ,  2K002CA02 ,  2K002DA01 ,  2K002HA20 ,  5F172AE13 ,  5F172AF03 ,  5F172AM08 ,  5F172EE13 ,  5F172NQ64 ,  5F172NR22 ,  5F172NR24 ,  5F172ZZ01 ,  5F172ZZ02
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (3)
  • 光源装置
    Gazette classification:公開公報   Application number:特願平5-315087   Applicant:株式会社ニコン
  • 光源装置及び光照射装置
    Gazette classification:公開公報   Application number:特願2003-189435   Applicant:株式会社ニコン
  • レーザ装置
    Gazette classification:公開公報   Application number:特願平11-258126   Applicant:株式会社ニコン, 古河電気工業株式会社
Article cited by the Patent:
Cited by examiner (1)
  • レーザ工学入門, 19970801, pp.220-222

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