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J-GLOBAL ID:200903000022640173
深紫外レーザー光の発生方法および深紫外レーザー装置
Inventor:
,
,
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
上島 淳一
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2005271429
Publication number (International publication number):2007086108
Application date: Sep. 20, 2005
Publication date: Apr. 05, 2007
Summary:
【課題】深紫外域の波長の深紫外レーザー光を効率よく発生させ、高出力化する。【解決手段】1μm帯の波長のレーザー光の第4高調波を発生し、上記第4高調波と1.4〜1.5μm帯の波長のレーザー光との和周波発生によりレーザー光を発生し、上記和周波発生により発生したレーザー光と上記1.4〜1.5μm帯の波長のレーザー光との和周波発生により波長が200nm以下のレーザー光を発生する深紫外レーザー光の発生方法において、上記1μm帯とは1063〜1065nmであり、上記1.4〜1.5μm帯とは1410〜1424nmであって、波長が200nm以下のレーザー光として波長193.3〜193.5nmのレーザー光を発生する。【選択図】 図1
Claim (excerpt):
1μm帯の波長のレーザー光の第4高調波を発生し、前記第4高調波と1.4μm帯の波長のレーザー光との和周波発生によりレーザー光を発生し、前記和周波発生により発生したレーザー光と前記1.4μm帯の波長のレーザー光との和周波発生により波長が200nm以下のレーザー光を発生する深紫外レーザー光の発生方法において、
前記1μm帯とは1063〜1065nmであり、前記1.4μm帯とは1410〜1424nmであって、波長が200nm以下のレーザー光として波長193.3〜193.5nmのレーザー光を発生する
ことを特徴とする深紫外レーザー光の発生方法。
IPC (2):
FI (2):
F-Term (14):
2K002AB12
, 2K002BA04
, 2K002CA02
, 2K002DA01
, 2K002HA20
, 5F172AE13
, 5F172AF03
, 5F172AM08
, 5F172EE13
, 5F172NQ64
, 5F172NR22
, 5F172NR24
, 5F172ZZ01
, 5F172ZZ02
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (3)
-
光源装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平5-315087
Applicant:株式会社ニコン
-
光源装置及び光照射装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2003-189435
Applicant:株式会社ニコン
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レーザ装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平11-258126
Applicant:株式会社ニコン, 古河電気工業株式会社
Article cited by the Patent:
Cited by examiner (1)
-
レーザ工学入門, 19970801, pp.220-222
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