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J-GLOBAL ID：200903000051784842

HEMT素子およびその製造方法

Inventor： 川口 高明 ,  佐藤 雅克 ,  西 清次
Applicant, Patent owner： 沖電気工業株式会社
Agent (1)： 大垣 孝
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995064152
Publication number (International publication number)：1996264759
Application date： Mar. 23, 1995
Publication date： Oct. 11, 1996
Summary：

【要約】【目的】 ミスフィット転位が発生しても、素子の特性が劣化するおそれがないようなHEMT素子を提供する。【構成】 下側電子供給層13であるn型AlGaAs基板と上側電子供給層17であるn型AlGaAs基板との間にInGaAs層15からなる電子走行層を介在させてあり、上側電子供給層17の、InGaAs層15とは反対側の表面にゲート電極21、ソース電極23およびドレイン電極25を具えたダブル選択ドーピング型のHEMT素子において、InGaAs層15を、少なくとも下側電子供給層13とこのInGaAs層15との界面にミスフィット転位が発生する厚さとしてあり、下側供給層13とInGaAs層15との界面に生じているミスフィット転位の延在方向に沿ってソース電極21、ゲート電極23、ドレイン電極25を順次配列してある。

Claim (excerpt)：

下側電子供給層と上側電子供給層との間に電子走行層を介在させてあり、前記上側電子供給層の、前記電子走行層とは反対側の表面にソース電極、ゲート電極およびドレイン電極を具えたダブル選択ドーピング型のHEMT素子において、前記電子走行層を、少なくとも前記下側電子供給層と該電子走行層との界面にミスフィット転位が発生する厚さとしてあり、前記下側電子供給層と前記電子走行層との界面に生じている前記ミスフィット転位の延在方向に沿って前記ソース電極、前記ゲート電極、ドレイン電極を順次配列してあることを特徴とするHEMT素子。

IPC (3)：

H01L 29/778 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/812

FI (2)：

H01L 29/80 H ,  H01L 29/80 L

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

• 電界効果型半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-192945   Applicant：日本電気株式会社
• 特開平1-158779