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J-GLOBAL ID：200903000053693720

スピン伝導素子

Inventor： 水島 公一 ,  佐藤 利江
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 鈴江 武彦 (外6名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999267626
Publication number (International publication number)：2001094172
Application date： Sep. 21, 1999
Publication date： Apr. 06, 2001
Summary：

【要約】【課題】 強磁性電極から他の電極へスピン偏極率の大きい電子を注入することができるトンネル接合部を持ったスピン伝導素子を提供する。【解決手段】 強磁性電極(37)からスピン偏極した電子を絶縁体または半導体からなるトンネルバリアー層(36)を介して、常磁性金属、強磁性金属または半導体からなる他の電極(33)へトンネル注入する構造を有し、トンネルバリアー層(36)のバリアー高さが、強磁性電極(37)のフェルミ準位の上方でより高く、フェルミ準位の下方でより低いスピン伝導素子。

Claim (excerpt)：

強磁性電極からスピン偏極した電子を絶縁体または半導体からなるトンネルバリアー層を介して、常磁性金属、強磁性金属または半導体からなる他の電極へトンネル注入する構造を有するスピン伝導素子において、前記トンネルバリアー層のバリアー高さが、強磁性電極のフェルミ準位の上方でより高く、フェルミ準位の下方でより低いことを特徴とするスピン伝導素子。

IPC (4)：

H01L 43/08 ,  G11B 5/39 ,  H01F 10/32 ,  H01L 27/10 451

FI (4)：

H01L 43/08 Z ,  G11B 5/39 ,  H01F 10/32 ,  H01L 27/10 451

F-Term (12)：

5D034BA03 ,  5D034BA08 ,  5D034BA15 ,  5E049AA01 ,  5E049AA04 ,  5E049AA07 ,  5E049AC00 ,  5E049AC05 ,  5E049BA12 ,  5F083FZ10 ,  5F083HA06 ,  5F083JA39

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 磁気抵抗効果素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-242468   Applicant：株式会社東芝
• 磁気抵抗効果素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-053065   Applicant：ティーディーケイ株式会社