薄膜半導体装置およびその作製方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993343949
Publication number (International publication number)：1995176753
Application date： Dec. 17, 1993
Publication date： Jul. 14, 1995
Summary：

【要約】【目的】薄膜トランジスタにおいて、ゲイト電極・配線と薄膜半導体領域(活性層)との間の信頼性を向上させ、特性の改善を図る。【構成】島状薄膜半導体領域の端部をテーパー状に加工し、かつ、該端部領域にソース、ドレインとは逆の導電型を示す不純物、もしくは酸素、炭素、窒素を混入させることにより、あるいは、高速イオンを照射することにより、該端部領域を高抵抗化せしめてソース、ドレイン間あるいはゲイト、ドレイン間等のリーク電流を減少させる。

Claim (excerpt)：

絶縁表面上に形成されたテーパー状のエッヂを有する島状の非単結晶薄膜半導体領域と、前記半導体領域を横断するゲイト電極とを有する薄膜半導体装置において、前記半導体領域のテーパー状エッヂに、該半導体領域の主成分とは異なる元素が含まれていることを特徴とする薄膜半導体装置。

IPC (2)：

H01L 29/786 , H01L 21/336

FI (3)：

H01L 29/78 311 H , H01L 29/78 311 S , H01L 29/78 311 Y

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (6)

特開昭59-150469
特開昭63-012160
特開昭60-113971

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