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J-GLOBAL ID：200903021844802008

薄膜半導体装置およびその作製方法

Inventor： 島田 浩行 ,  竹村 保彦
Applicant, Patent owner： 株式会社半導体エネルギー研究所
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993343947
Publication number (International publication number)：1995176752
Application date： Dec. 17, 1993
Publication date： Jul. 14, 1995
Summary：

【要約】【目的】 薄膜トランジスタにおいて、ゲイト電極・配線と薄膜半導体領域(活性層)との間の信頼性を向上させ、特性の改善を図る。【構成】 島状の薄膜半導体領域の端部、特にゲイト電極が横断する部分にシリコンイオンを注入することによって、その部分をアモルファス化、すなわち、高抵抗化し、よって、ソース、ドレイン間のリーク電流を減少させる。

Claim (excerpt)：

島状の薄膜半導体領域と、前記半導体領域を横断するゲイト電極とを有する薄膜半導体装置において、前記半導体領域の周辺部にシリコンイオンの注入された領域が存在し、かつ、ゲイト電極が該領域を横断していることを特徴とする薄膜半導体装置。

IPC (2)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/336

FI (3)：

H01L 29/78 311 H ,  H01L 29/78 311 S ,  H01L 29/78 311 Y

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開昭59-150469
  
• 半導体装置及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-163378   Applicant：富士ゼロックス株式会社
• 薄膜半導体装置およびその作製方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-343949   Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所