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J-GLOBAL ID：200903000137631593

光スイッチ

Inventor：
及川 陽一

About 及川 陽一


Applicant, Patent owner：
富士通株式会社

About 富士通株式会社


Agent (1)： 大菅 義之 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001211208
Publication number (International publication number)：2003029175
Application date： Jul. 11, 2001
Publication date： Jan. 29, 2003
Summary：
【要約】【課題】 フォトニックネットワークを構成するノード装置において、光MEMSスイッチの光結合特性の劣化を補償することが課題である。【解決手段】 低周波重畳回路45は、ドライバ回路46からの印加電圧に、低周波発振回路48からの低周波信号を重畳して、ミラー部43に印加する。低周波検出部44は、ミラーにより反射された出力光から低周波成分を検出し、制御回路47は、検出された低周波成分と低周波発振回路48の出力信号を用いて、ドライバ回路46の出力電圧を制御する。
Claim (excerpt)：
印加電圧に応じて傾き角度が変化するミラーと、前記ミラーに前記印加電圧を印加するドライバ手段と、所定周波数の付加信号を発生する発振手段と、前記印加電圧に前記付加信号を重畳する重畳手段と、前記ミラーで反射された光から前記所定周波数の信号成分を検出する検出手段と、検出された信号成分に基づいて前記印加電圧を制御する制御手段とを備えることを特徴とする光スイッチ。
IPC (3)：
G02B 26/08 ,  H04B 10/02 ,  H04B 10/28
FI (2)：
G02B 26/08 E ,  H04B 9/00 W
F-Term (8)：
2H041AA16 ,  2H041AB14 ,  2H041AC06 ,  2H041AZ05 ,  2H041AZ06 ,  5K002BA06 ,  5K002BA31 ,  5K002FA01
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (3) Cited by examiner (3)

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