DRAMセルコンタクトの構造及びその形成方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：清水守 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994260432
Publication number (International publication number)：1996125141
Application date： Oct. 25, 1994
Publication date： May. 17, 1996
Summary：

【要約】【目的】メモリセルパターンを設計する際に、セルコンタクトのパターンを、ワード線及びビット線のパターンとの合わせを無視して容易にレイアウトすることができるDRAMセルコンタクトの構造及びその形成方法を提供する。【構成】セルコンタクト49のワード線29及びビット線35,36にかかるようなパターンにおいても、ワード線29の側部はサイドウォール45によって、また、ワード線29の上部はSiO2 膜28によって、キャパシタ下部電極46と電気的な絶縁が保たれており、また、ビット線35,36の側部はサイドウォール40によって、また、ビット線35,36の上部はSiO2 膜37によって、キャパシタ下部電極46と電気的な絶縁が保たれている。

Claim (excerpt)：

DRAMセルコンタクトのパターンがワード線、ビット線にかかるようなパターンレイアウトにおいて、(a)ワード線の側部は酸化膜サイドウォールによって、ワード線の上部は酸化膜によってそれぞれキャパシタ下部電極と電気的に絶縁が保たれ、(b)ビット線の側部は酸化膜サイドウォールによって、ビット線の上部は酸化膜によってそれぞれキャパシタ下部電極と電気的に絶縁が保たれていることを特徴とするDRAMセルコンタクトの構造。

IPC (4)：

H01L 27/108 , H01L 21/8242 , H01L 27/04 , H01L 21/822

FI (2)：

H01L 27/10 621 Z , H01L 27/04 C

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

特開平3-106027
特開平3-064068
特開平4-097565

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