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J-GLOBAL ID：200903000144778842

半導体装置及びその製造方法

Inventor： 小原 良和
Applicant, Patent owner： シャープ株式会社
Agent (1)： 野河 信太郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996194395
Publication number (International publication number)：1998041427
Application date： Jul. 24, 1996
Publication date： Feb. 13, 1998
Summary：

【要約】【課題】 フレキシブル配線層を用いたBGAタイプの半導体装置のパッケージにおいて、外部接続端子の領域の平坦性を維持し、パッケージの変形を抑制する。【解決手段】 電極などを有する半導体チップと、薄膜の配線パターン層とこれを挟着する第1及び第2の薄型化した絶縁材層とからなるフレキシブルな配線層と、前記半導体チップを収納しうるサイズの開口部を有し配線層上に接合されて配線層に剛性を付与する枠部品と、前記配線層の配線パターン層を介して半導体チップの電極と電気的に接続され前記枠部品を接合した配線層の直下に形成される複数の外部接続端子とを備え、半導体チップが枠部品の開口部に収納され配線層に接合された際、前記開口部が封止樹脂で封止される半導体装置を構成する。

Claim (excerpt)：

電極などを有する半導体チップと、導電性の配線パターン層とこれを挟着する第1及び第2の絶縁材層とからなるフレキシブルな配線層と、前記半導体チップを収納しうるサイズの開口部を有し配線層上に接合されて配線層に剛性を付与する枠部品と、前記配線層の配線パターン層を介して半導体チップの電極と電気的に接続され前記枠部品を接合した配線層の直下に形成される複数の外部接続端子とを備え、半導体チップが枠部品の開口部に収納され配線層に接合された際、前記開口部が封止樹脂で封止されてなる半導体装置。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-195564   Applicant：株式会社三井ハイテック
• 半導体装置及びその製造方法並びに半導体装置ユニット及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-301175   Applicant：富士通株式会社, 株式会社九州富士通エレクトロニクス
• 半導体装置及び半導体装置ユニット
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-130620   Applicant：富士通株式会社