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J-GLOBAL ID:200903000144873659
高周波プラズマCVD装置及びプラスチック製容器
Inventor:
,
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
金山 聡
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2002334878
Publication number (International publication number):2004169087
Application date: Nov. 19, 2002
Publication date: Jun. 17, 2004
Summary:
【課題】プラスチック製容器本体の内面の全面にプラズマを加速度を持って衝突させて、十分なガスバリア性の薄膜を形成することができる高周波プラズマCVD装置及び内面の全面に十分なガスバリア性の薄膜を有するプラスチック製容器を提供する。【解決手段】高周波ブラズマCVD装置は、外部電極と内部電極を備え、外部電極はプラスチック製容器本体の主要部よりやや大きめの相似形の空間を有する反応室を備える。内部電極は反応室内に配置され、内部電極は複数の原料ガス吹き出し孔を備える。内部電極には原料ガス供給管が連設され、反応室には真空源が排気管を介して接続され、外部電極には整合器を介して高周波電源が接続されている。内部電極は原料ガス供給管を介して接地され、外部電極の周りには磁石が配置されている。この装置を用いてプラスチック製容器本体の内面に十分なガスバリア性の薄膜を有するプラスチック製容器を得ることができる。【選択図】 図1
Claim (excerpt):
外部電極と内部電極を備え、外部電極は内面に薄膜を被着させるべきプラスチック製容器本体の主要部よりやや大きめの相似形の空間を有する反応室を備え、内部電極は反応室内に配置され、内部電極は中空体からなり、且つ複数の原料ガス吹き出し孔を備え、内部電極には導電性材料からなる原料ガス供給管が連設され、反応室には真空源が排気管を介して接続され、外部電極には整合器を介して高周波電源が接続され、内部電極は原料ガス供給管を介して接地され、外部電極の周りには磁石が配置されていることを特徴とする高周波プラズマCVD装置。
IPC (5):
C23C16/505
, B32B1/02
, B32B9/00
, B65D25/14
, C23C16/455
FI (5):
C23C16/505
, B32B1/02
, B32B9/00 A
, B65D25/14 Z
, C23C16/455
F-Term (35):
3E062AA09
, 3E062AC02
, 3E062JA01
, 3E062JA07
, 3E062JB24
, 3E062JC01
, 3E062JD01
, 4F100AA20B
, 4F100AA37B
, 4F100AK01A
, 4F100AK42A
, 4F100BA02
, 4F100DA01
, 4F100EH11
, 4F100EH66B
, 4F100EK01
, 4F100GB16
, 4F100JD03
, 4K030BA36
, 4K030BA44
, 4K030BB00
, 4K030CA07
, 4K030CA11
, 4K030CA15
, 4K030EA03
, 4K030EA04
, 4K030EA05
, 4K030EA06
, 4K030KA16
, 4K030KA17
, 4K030KA34
, 4K030KA45
, 4K030KA46
, 4K030LA01
, 4K030LA11
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (2)
-
ダイヤモンド状炭素膜形成方法及び製造装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平10-064923
Applicant:日本真空技術株式会社
-
プラスチック容器の製造方法及び容器
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平11-062907
Applicant:凸版印刷株式会社
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