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J-GLOBAL ID：200903055258382859
ダイヤモンド状炭素膜形成方法及び製造装置
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
北村 欣一 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998064923
Publication number (International publication number)：1999256331
Application date： Mar. 16, 1998
Publication date： Sep. 21, 1999
Summary：
【要約】【課題】 プラスチック容器において、ガスの透過を阻止することが可能で、容器内壁の洗浄に対しても内壁面に損傷を生じせしめることのない、また、繰り返し使用可能なもの。【解決手段】 プラスチック容器内壁面にダイヤモンド状炭素膜を形成するに際し、原料炭化水素ガスの分解を促進するためのプラズマの増強手段としてプラスチック容器内壁面近傍に磁場を発生させ、それにより捕捉された電子と原料炭化水素ガスとの衝突回数を多くしてダイヤモンド状炭素膜の生成速度を大きくし、また、その容器内壁面には負の自己バイアス電圧を生じさせて分解した炭化水素イオン種や炭素イオン及び水素イオンを入射させて緻密なダイヤモンド状炭素膜を形成する。
Claim (excerpt)：
プラズマCVD法により、プラスチック容器内壁面にダイヤモンド状炭素膜を形成するに際し、原料炭化水素ガスの分解を促進するためのプラズマの増強手段としてプラスチック容器内壁面近傍に磁場を発生させ、それにより捕捉された電子と原料炭化水素ガスとの衝突回数を多くしてダイヤモンド状炭素膜の生成速度を大きくし、また、該容器内壁面には負の自己バイアス電圧を生じさせて分解した炭化水素イオン種や炭素イオン及び水素イオンを入射させて緻密なダイヤモンド状炭素膜を形成することを特徴とするダイヤモンド状炭素膜の形成方法。
IPC (2)：
FI (2)：
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (2)
Cited by examiner (2)
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