Pat

J-GLOBAL ID：200903000152109232

半導体基板、その製造方法、半導体装置及びパターン形成方法

Inventor： 石田 昌宏 ,  小川 雅弘 ,  萬濃 正也 ,  油利 正昭
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (1)： 前田 弘 (外7名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001230843
Publication number (International publication number)：2002141283
Application date： Jul. 31, 2001
Publication date： May. 17, 2002
Summary：

【要約】【課題】 窒化物半導体基板を用いた半導体装置の製造においてフォトリソグラフィ工程でのパターン精度を向上させる。【解決手段】 GaN層100よりなる基板の裏面に、フォトリソグラフィ工程で用いられる露光光の波長の1/10程度以上の段差を有する凹凸100aが設けられている。これにより、基板表面から入射した露光光が基板裏面で乱反射されるので、基板裏面における露光光の反射率が低下して反射光の強度が減少する。

Claim (excerpt)：

III 族窒化物を主成分とする半導体層よりなり、前記半導体層の一の面から前記半導体層に入射した入射光を散乱させる散乱部が前記半導体層の他の面又は内部に設けられていることを特徴とする半導体基板。

IPC (4)：

H01L 21/20 ,  H01L 21/02 ,  H01L 33/00 ,  H01S 5/323 610

FI (4)：

H01L 21/20 ,  H01L 21/02 B ,  H01L 33/00 C ,  H01S 5/323 610

F-Term (10)：

5F041AA31 ,  5F041CA40 ,  5F041CA77 ,  5F052CA10 ,  5F052KA10 ,  5F073AA13 ,  5F073CA02 ,  5F073CB02 ,  5F073DA21 ,  5F073DA35

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 窒化物半導体発光素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-013867   Applicant：日亜化学工業株式会社