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J-GLOBAL ID：200903029395045010
窒化物半導体発光素子
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998013867
Publication number (International publication number)：1999214744
Application date： Jan. 27, 1998
Publication date： Aug. 06, 1999
Summary：
【要約】【目的】 主として基板側に漏れる光を有効に反射させて、発光素子の光取り出し効率を向上させることにあり、また半導体層内部に共振器となる有効な反射鏡を有するレーザ素子を実現することにある。【構成】 窒化物半導体と異なる材料よりなる異種基板上に形成された第1の窒化物半導体よりなる下地層の上に、表面に窒化物半導体が成長しないか若しくは成長しにくい性質を有し、かつ活性層の発光を反射する第1の反射鏡が部分的に形成されており、さらにその第1の反射鏡の窓部から、その反射鏡の表面に至るように成長された第2の窒化物半導体を基板として、その基板の上に少なくとも活性層を含む複数の窒化物半導体層が積層されいることにより、第1の反射鏡で活性層の発光を上方に反射させる。
Claim (excerpt)：
窒化物半導体と異なる材料よりなる異種基板上に形成された第1の窒化物半導体よりなる下地層の上に、表面に窒化物半導体が成長しないか若しくは成長しにくい性質を有し、かつ活性層の発光を反射する第1の反射鏡が部分的に形成されており、さらにその第1の反射鏡の窓部から、その反射鏡の表面に至るように成長された第2の窒化物半導体を基板として、その基板の上に少なくとも活性層を含む複数の窒化物半導体層が積層されてなることを特徴とする窒化物半導体発光素子。
FI (2)：
H01L 33/00 A
, H01L 33/00 C
Cited by applicant (12)
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窒化物半導体レーザ素子及び窒化物半導体レーザ素子の製造方法。
Gazette classification：公開公報
Application number：特願平9-116613
Applicant：日亜化学工業株式会社
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GaN系半導体発光素子
Gazette classification：公開公報
Application number：特願平9-327907
Applicant：三菱電線工業株式会社
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GaN系半導体発光素子
Gazette classification：公開公報
Application number：特願平9-327927
Applicant：三菱電線工業株式会社
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