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J-GLOBAL ID：200903000172441128

半導体放射線検出素子

Inventor：
船木 稔

About 船木 稔


Applicant, Patent owner：
株式会社アクロラド

About 株式会社アクロラド


Agent (1)： 山本 彰司
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001341549
Publication number (International publication number)：2003142673
Application date： Nov. 07, 2001
Publication date： May. 16, 2003
Summary：
【要約】【課題】 半導体基板に形成された多数の電極と、集積回路との電気的結合に際し、結合金属が直接半導体基板に接触することを有効な絶縁体皮膜により防止する。【解決手段】 半導体基板1の少なくとも1つの面に複数の電極2を有する半導体放射線検出素子において、当該複数の電極2が形成された面で、電極2が形成された部位以外の半導体基板1の表面の一部またはすべてを、アルミニウム、窒素、酸素の3つの元素から構成される電気的絶縁体皮膜4で覆ってなり、好ましくは、前記半導体基板1がCdTeまたはCdZnTeであり、また、前記電気的絶縁体皮膜4の組成が、原子数比でアルミニウムが40%以上55%以下であって、窒素が25%以上50%以下、酸素が3%以上25%以下の範囲であり、且つ非晶質であること。
Claim (excerpt)：
半導体基板の少なくとも1つの面に複数の電極を有する半導体放射線検出素子において、当該複数の電極が形成された面で、電極が形成された部位以外の半導体基板の表面の一部またはすべてを、アルミニウム、窒素、酸素の3つの元素から構成される電気的絶縁体皮膜で覆ったことを特徴とする半導体放射線検出素子。
IPC (7)：
H01L 27/146 ,  G01T 1/24 ,  G01T 7/00 ,  H01L 21/318 ,  H01L 27/14 ,  H01L 31/0264 ,  H01L 31/09
FI (7)：
G01T 1/24 ,  G01T 7/00 A ,  H01L 21/318 C ,  H01L 27/14 F ,  H01L 27/14 K ,  H01L 31/00 A ,  H01L 31/08 N
F-Term (39)：
2G088EE01 ,  2G088EE29 ,  2G088EE30 ,  2G088FF02 ,  2G088FF04 ,  2G088GG21 ,  2G088JJ05 ,  2G088JJ10 ,  2G088JJ31 ,  2G088JJ33 ,  2G088JJ37 ,  2G088KK32 ,  2G088LL11 ,  2G088LL12 ,  4M118AA08 ,  4M118AA10 ,  4M118AB01 ,  4M118BA19 ,  4M118CA32 ,  4M118CB05 ,  4M118CB14 ,  4M118EA01 ,  4M118GA10 ,  4M118HA31 ,  5F058BB01 ,  5F058BC20 ,  5F058BF13 ,  5F058BJ03 ,  5F088AB09 ,  5F088BA11 ,  5F088BA16 ,  5F088BB06 ,  5F088BB07 ,  5F088EA04 ,  5F088EA14 ,  5F088EA16 ,  5F088JA03 ,  5F088JA20 ,  5F088LA07
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (4)
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