放射検出器および撮像素子のための半導体基板上の接点形成

Inventor： , , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：東島隆治 (外1名)
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：1997520190
Publication number (International publication number)：2000516392
Application date： Nov. 26, 1996
Publication date： Dec. 05, 2000
Summary：

【要約】半導体基板(1)上において放射検出器セルを形成するための位置に金属接点(31)を形成するのに適した方法が、この基板の表面上に材料(11、12)の1以上の層を、接点位置における基板表面までの開口(23)とともに形成するステップと;材料の層および開口の上に金属(24)の層を形成するステップと;材料の層を覆っている(28)における金属を除去して個々の接点を分離するステップと;を包含している。随意に、基板表面の個々の接点の間に残ることになるパッシベーション層(11)を、この方法の間に加えてもよい。本発明による方法は、不要な金(または他の接点材料)を除去するために使用される腐食液が基板(例えばCdZnTe)の表面と接触してその基板の抵抗特性を劣化させることを防止する。この方法の効果およびその使用法についても記述される。

Claim (excerpt)：

半導体基板上に放射検出器セルを形成するための位置に金属接点を有する放射検出器を製造する方法であって:a) 前記基板の表面上に材料の一つ以上の層であって、前記接点の位置(複数)における前記基板表面までの開口とをもつものを形成するステップと;b) 前記材料の層および前記開口の上に金属の層を形成するステップと;c) 前記材料の層を覆っている金属を除去して個々の接点を分離するステップと; の各ステップを包含する方法。

IPC (2)：

H01L 27/14 , G01T 1/24

FI (2)：

H01L 27/14 K , G01T 1/24

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (5)

特開平2-040968
特開平2-120656
特表平7-506937

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Cited by examiner (9)

特開平2-040968
特開平2-040968
特開平2-120656

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