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J-GLOBAL ID：200903000213570191

メモリシステム

Inventor： シンクレア,アラン・ウエルシユ
Applicant, Patent owner： メモリー・コーポレーシヨン・ピー・エル・シー
Agent (1)： 川口 義雄 (外1名)
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：1996532831
Publication number (International publication number)：1999511879
Application date： Feb. 06, 1996
Publication date： Oct. 12, 1999
Summary：

【要約】ディスク装置をエミュレートするソリッドステートメモリであって、論理セクタアドレスをメインメモリアドレスに変換する変換手段と、ブロック単位で消去可能な不揮発性メモリセルから構成されるメインメモリとを備え、メインメモリ内の書き込まれていない位置を指すために第一のポインタが使用され、前記書き込まれていない位置を含む消去可能ブロックの次の消去されていない消去可能ブロックを指すために第二のポインタが使用され、第一のポインタと第二のポインタの間に少なくとも一つの消去状態の消去可能ブロックが常にあることを保証すべく制御手段が設けられていることを特徴とするソリッドステートメモリ。

Claim (excerpt)：

予め定義された物理アドレスをそれぞれが有する複数の記憶手段と、論理アドレスを前記予め定義された物理アドレスの一つに変換する変換手段とを含み、前記記憶手段が、ブロック単位で消去可能な不揮発性メモリセルから構成されるメモリ装置であって、前記メモリが、空いている記憶手段を指す第一のポインタを記憶する手段と、所定の順序に従って、前記書き込まれていない位置を含む消去可能ブロックの次の消去されていない消去可能ブロックを指す第二のポインタを記憶する手段とを含み、第一のポインタが指す記憶手段と第二のポインタが指す記憶手段の間に、少なくとも一つの空の消去可能ブロックが常にあることを保証すべく制御手段が設けられていることを特徴とするメモリ装置。

IPC (3)：

G06F 12/00 542 ,  G06F 3/08 ,  G11C 16/02

FI (3)：

G06F 12/00 542 A ,  G06F 3/08 H ,  G11C 17/00 601 A

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 半導体補助記憶装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-003399   Applicant：株式会社日立製作所
• EEPROMを使用した記録装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-242983   Applicant：シャープ株式会社