太陽電池セルの製造方法及び太陽電池セル

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：野河信太郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998137032
Publication number (International publication number)：1999330526
Application date： May. 19, 1998
Publication date： Nov. 30, 1999
Summary：

【要約】【課題】従来と同様の容易な取り扱いにより、従来よりも飛躍的に薄い基板厚さの太陽電池セルを実現することができ、耐放射線性に優れた太陽電池セル、殊に宇宙用太陽電池セルを製造することを目的とする。【解決手段】太陽電池セルを構成する半導体基板を支持基板に貼着した後、前記半導体基板を薄膜半導体基板に加工する太陽電池セルの製造方法。

Claim (excerpt)：

太陽電池セルを構成する半導体基板を支持基板に貼着した後、前記半導体基板を薄膜半導体基板に加工することを特徴とする太陽電池セルの製造方法。

IPC (2)：

H01L 31/042 , H01L 31/04

FI (2)：

H01L 31/04 C , H01L 31/04 H

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

特開平4-233773
特開昭61-110470
特開昭58-168280

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