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J-GLOBAL ID：200903000255790779

絶縁膜の成膜方法

Inventor： 鬼頭 英至
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 小池 晃 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994153855
Publication number (International publication number)：1996022986
Application date： Jul. 05, 1994
Publication date： Jan. 23, 1996
Summary：

【要約】【構成】 Si-N結合を有する有機Si化合物を含む原料ガスを用い、基板上にSiN系薄膜よりなる相対的に炭化水素基の含有量の高い下層絶縁膜をプラズマCVDにより成膜した後、基板を大気から遮断された状態に維持したまま、SiH4 とN2 やNH3 とを含む混合ガスを用いて、あるいは、Si-N結合を有する有機Si化合物とN2 やNH3 とを用いて、前記下層絶縁膜上にSiN系薄膜よりなる相対的に炭化水素基の含有量の低い上層絶縁膜をプラズマCVDにより成膜する。【効果】 優れたカバレージを確保しつつ、絶縁耐性、耐水性、耐腐蝕性といった膜質に優れた絶縁膜を成膜できる。このため、微細なデザインルールに基づく半導体デバイスの性能や歩留まりを向上させることが可能となる。また、スルプットを低下させることもなく、経済性にも優れている。

Claim (excerpt)：

Si-N結合を有する有機Si化合物を含む原料ガスを用い、基板上にSiN系薄膜あるいはSiON系薄膜よりなる相対的に炭化水素基の含有量の高い下層絶縁膜をCVDにより成膜する工程と、前記下層絶縁膜上にSiN系薄膜よりなる相対的に炭化水素基の含有量の低い上層絶縁膜をCVDにより成膜する工程とを有する絶縁膜の成膜方法。

IPC (2)：

H01L 21/318 ,  H01L 21/768

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 特開平4-039934
  
• 半導体装置の保護膜形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-284351   Applicant：川崎製鉄株式会社