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J-GLOBAL ID：200903000283287233

集積回路の製造方法

Inventor： アネッタ マーガレット クレバース ,  ウィリアム グラハム イースター
Applicant, Patent owner： ルーセント テクノロジーズ インコーポレイテッド
Agent (1)： 三俣 弘文
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999121807
Publication number (International publication number)：1999340172
Application date： Apr. 28, 1999
Publication date： Dec. 10, 1999
Summary：

【要約】【課題】ダイ内のレベル間誘電体層の変動を低減する化学機械研磨方法を提供する。【解決手段】 本発明は、複数回の研磨プロセスを用いて、基板上に形成された平面化層を平面化し、平面化層の厚さの変動を低減している。本発明の多数回の研磨プロセスは、(1)基板が研磨表面に対し、移動する速度を調整すること、および/または(2)研磨プロセスの間、基板上にかかる圧力を調整することにより行われる。このプロセスにより、平面化層内の隆起した表面を除去あるいは低下させる。このプロセスはまた平面化層の全体の厚さも低減できる。

Claim (excerpt)：

(A) 基板を第1研磨速度で研磨するステップ(215)と、(B) 前記基板を第1研磨速度とは異なる第2研磨速度で研磨するステップ(230)とからなることを特徴とする集積回路の製造方法。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開平2-040917
  
• ウェーハ研磨方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-127442   Applicant：川崎製鉄株式会社
• 特開平2-040917