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J-GLOBAL ID:200903000294717167

表示装置、表示装置の製造方法、薄膜半導体装置

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 須藤 克彦
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2006016435
Publication number (International publication number):2007201075
Application date: Jan. 25, 2006
Publication date: Aug. 09, 2007
Summary:
【課題】駆動能力を確保しつつ光リーク電流を極力低下させることが可能な表示装置及びその製造方法、薄膜半導体装置を提供する。【解決手段】表示画素の画素選択トランジスタTR1である第1の薄膜トランジスタTR1については、遮光層11を設けており、しかも第1の多結晶シリコン層の平均結晶粒径が、前記第1の薄膜トランジスタTR1の光リーク電流が低減されるように、第2の薄膜トランジスタTR2の平均結晶粒径に比して小さく設定されているので、それらの相乗効果により光リーク電流を抑制して表示不良を防止できる。一方、垂直駆動回路DR1及び水平駆動回路DR2を構成する第2の薄膜トランジスタTR2については、遮光膜11が設けられておらず、平均結晶粒径は比較的大きく設定されているので、移動度の低下はない。そのため、その駆動能力が確保され、駆動回路の動作不良を防止することができる。【選択図】 図1
Claim (excerpt):
絶縁基板上に、画素選択用の第1の薄膜トランジスタを含む表示画素と、第2の薄膜トランジスタを含み前記表示画素を駆動する駆動回路とを備え、 前記第1の薄膜トランジスタは、前記絶縁基板上に形成された遮光層と、この遮光層上にバッファ膜を介して形成された第1の多結晶半導体層を備え、 前記第2の薄膜トランジスタは、前記絶縁基板上にバッファ膜を介して形成された第2の多結晶半導体層を備え、 前記第2の薄膜トランジスタについては前記遮光層が形成されず、かつ前記第1の薄膜トランジスタの光リーク電流が低減されるように、前記第1の多結晶半導体層の平均結晶粒径が第2の多結晶半導体層の平均結晶粒径に比して小さいことを特徴とする表示装置。
IPC (5):
H01L 21/336 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/20 ,  G02F 1/136 ,  G09F 9/30
FI (7):
H01L29/78 618Z ,  H01L29/78 612B ,  H01L29/78 619B ,  H01L29/78 627G ,  H01L21/20 ,  G02F1/1368 ,  G09F9/30 338
F-Term (59):
2H092JA25 ,  2H092JA42 ,  2H092JA46 ,  2H092JB43 ,  2H092JB51 ,  2H092JB57 ,  2H092JB65 ,  2H092JB69 ,  2H092KA04 ,  2H092NA22 ,  2H092NA25 ,  2H092PA09 ,  5C094AA03 ,  5C094AA16 ,  5C094AA25 ,  5C094AA42 ,  5C094BA03 ,  5C094BA43 ,  5C094DA13 ,  5C094DA15 ,  5C094DA20 ,  5C094ED15 ,  5C094FB14 ,  5F110AA06 ,  5F110AA21 ,  5F110BB02 ,  5F110CC02 ,  5F110DD02 ,  5F110DD13 ,  5F110EE04 ,  5F110EE28 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110GG02 ,  5F110GG13 ,  5F110GG16 ,  5F110HL03 ,  5F110HM15 ,  5F110NN02 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN44 ,  5F110NN46 ,  5F110NN47 ,  5F110NN73 ,  5F110PP03 ,  5F110QQ19 ,  5F152AA06 ,  5F152AA10 ,  5F152BB02 ,  5F152CC02 ,  5F152CD03 ,  5F152CD13 ,  5F152CD17 ,  5F152CD22 ,  5F152CD23 ,  5F152CD24 ,  5F152CE05 ,  5F152FF03
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (1)
  • 半導体装置の製造方法
    Gazette classification:公開公報   Application number:特願2005-008729   Applicant:セイコーエプソン株式会社

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