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J-GLOBAL ID：200903000353378983

半導体装置

Inventor： 山田 雅央 ,  平尾 恭紳
Applicant, Patent owner： 株式会社デンソー
Agent (1)： 佐藤 強
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2006144159
Publication number (International publication number)：2007317781
Application date： May. 24, 2006
Publication date： Dec. 06, 2007
Summary：

【課題】放熱効率の向上を、全体の大型化を伴うことなく実現すること。【解決手段】リードフレームには、パワーMOSFET3をマウントするための第1ダイパッド8及び制御IC4をマウントするための第2ダイパッド11が設けられており、第1ダイパッド8は、リードフレームの一方の枠部6に対し比較的太めのタイバー9により連結されている。パワーMOSFET3及び制御IC4の樹脂モールド時には、第1ダイパッド8の裏面が露出した状態で残される。タイバー9は、これに連結された枠部6の裏面が第1ダイパッド8の裏面と同一平面上に位置するような形態に屈曲され、半導体装置1がヒートシンク13に取り付けられた状態では、第1ダイパッド8の裏面(露出面)及び枠部6の裏面が、ヒートシンク13に対して伝熱的に接触された構造とされる。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

リードフレームに形成された第1ダイパッド及び第2ダイパッド上にそれぞれ半導体パワー素子及び制御ICをマウントすると共に、それら半導体パワー素子及び制御ICを、当該半導体パワー素子用の前記第1ダイパッド裏面を露出させた状態で樹脂モールドして形成される半導体装置において、 前記リードフレームを、所定の間隔を存して対向する一対の枠部の一方に対して前記第1ダイパッドをタイバーにより連結した形態に構成すると共に、 前記タイバーに連結された前記枠部を、前記樹脂モールドから露出させると共に、前記第1ダイパッド裏面の露出面に伝熱的に取り付けられたヒートシンクに対して伝熱的に接触させる構造としたことを特徴とする半導体装置。

IPC (1)：

H01L 23/50

FI (1)：

H01L23/50 F

F-Term (4)：

5F067AA02 ,  5F067AA03 ,  5F067CA01 ,  5F067CA03

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

• 半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-059685   Applicant：三菱電機株式会社