微小電子回路構造を形成する方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：浅村皓 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996025267
Publication number (International publication number)：1996250680
Application date： Feb. 13, 1996
Publication date： Sep. 27, 1996
Summary：

【要約】【課題】所定面積に対して一層大きいキャパシタ容量を得る。【解決手段】全般的に云うと、この発明は電子サイクロトロン共鳴(ECR)の様な乾式プラズマ・エッチング方法を利用して、DRAM記憶セルに勾配つき側壁を作る。この方法によって作られた下側電極の丸くした角により、高級誘電体材料を実質的なひび割れなしにデポジットすることができ、更に、この高級誘電体層を作る時の一様性により、静電容量を厳密に予測し、且つ制御することができる。この発明の一実施例は、主面を持つ支持層(例えばSi基板30)と、支持層の主面に重なる下側電極と、下側電極の上面に重なる誘電率の高い材料の層(例えばBST 44)とを有する微小電子回路構造を作る方法である。下側電極が障壁層(例えばTiN 36)及び非反応性の層(例えばPt 42)を有する。

Claim (excerpt)：

微小電子回路基板の主面の上に、側面及び上面を持っていて、角の縁を形成する導電障壁層を形成し、該障壁層の上に非反応性の層を形成し、該非反応性の層の上にフォトレジストをパターンぎめし、少なくとも部分的な水平エッチングを伴う乾式プラズマ・エッチによって前記非反応性の層をエッチングして、前記障壁層の角の縁に重なる勾配つき側面を前記非反応性の層に形成し、前記非反応性の層の上に誘電率の高い材料の層をデポジットする工程を含む微小電子回路構造を形成する方法。

IPC (7)：

H01L 27/108 , H01L 21/8242 , C23F 4/00 , H01L 21/3065 , H01L 21/316 , H01L 27/04 , H01L 21/822

FI (5)：

H01L 27/10 651 , C23F 4/00 A , H01L 21/316 X , H01L 21/302 A , H01L 27/04 C

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (5)

特開平3-108752
半導体装置およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-152364 Applicant：三菱電機株式会社
特開平4-236459

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Cited by examiner (7)

特開平3-108752
特開平3-108752
半導体装置およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-152364 Applicant：三菱電機株式会社

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