高融点金属含有膜のエッチング方法及び薄膜キャパシタの製造方法

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：吉田茂明 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994214939
Publication number (International publication number)：1996078397
Application date： Sep. 08, 1994
Publication date： Mar. 22, 1996
Summary：

【要約】【目的】薄膜キャパシタの下部電極をテーパー形状にエッチングする。【構成】シリコン基板1の表面を酸化して得られたシリコン酸化膜2を下地として下部白金電極膜3を形成し、エッチング加工用マスクとしてフォトレジストパターン5を形成する。その後、塩素ガスをエッチングガスとしてエッチングを行う。その際、エッチングの反応生成物がフォトレジストパターン5の側壁に付着して側壁付着膜9を形成する。この側壁付着膜9の厚みはエッチングの進行と共に増大する一方、フォトレジストパターン5は、その上端の角部分よりテーパー形状にエッチングされていくため、側壁付着膜9はエッチングの進行と共にフォトレジストパターン5の下部へと移動し、その厚みを更に増大していく。その結果、下部白金電極膜3はテーパー角度4を有するテーパー形状にエッチングされる。

Claim (excerpt)：

下地に形成された高融点金属含有膜を当該高融点金属含有膜上に垂直に形成したフォトレジストパターンをマスクとしてエッチングする方法であって、前記エッチングの反応ガスとして塩素ガスを導入し、前記塩素ガスによって前記高融点金属含有膜をエッチングすることを特徴とする高融点金属含有膜のエッチング方法。

IPC (3)：

H01L 21/3065 , H01L 27/04 , H01L 21/822

FI (3)：

H01L 21/302 F , H01L 21/302 M , H01L 27/04 C

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

白金又はパラジウムよりなる金属膜のパターニング方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-278657 Applicant：富士通株式会社
半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-192601 Applicant：富士通株式会社
半導体素子の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-284117 Applicant：株式会社東芝

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