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J-GLOBAL ID:200903000422129311

光デバイス

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 光石 俊郎 (外1名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1992313167
Publication number (International publication number):1994163874
Application date: Nov. 24, 1992
Publication date: Jun. 10, 1994
Summary:
【要約】【目的】 半導体基板上に集積化した半導体レーザと導波路とを高結合効率にて形成したものである。【構成】 半導体レーザ1と導波路2とのそれぞれのコア3,4をその端面側にてテーパ状に形成して、モードフィールド径を拡大するようにしたものである。
Claim (excerpt):
半導体基板上に共振器端面の一端を構成する溝を有する半導体レーザと、前記の溝を介して前記半導体レーザと結合された導波路とを有する光デバイスにおいて、前記半導体レーザと導波路とのそれぞれのコア幅が前記溝近傍においてテーパ状に縮小した構造を有することを特徴とする光デバイス。
IPC (2):
H01L 27/15 ,  H01S 3/18
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (4)
  • 特開平3-063606
  • 特開昭64-032206
  • 特開平4-097206
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