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J-GLOBAL ID:200903000422129311
光デバイス
Inventor:
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Applicant, Patent owner:
Agent (1):
光石 俊郎 (外1名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1992313167
Publication number (International publication number):1994163874
Application date: Nov. 24, 1992
Publication date: Jun. 10, 1994
Summary:
【要約】【目的】 半導体基板上に集積化した半導体レーザと導波路とを高結合効率にて形成したものである。【構成】 半導体レーザ1と導波路2とのそれぞれのコア3,4をその端面側にてテーパ状に形成して、モードフィールド径を拡大するようにしたものである。
Claim (excerpt):
半導体基板上に共振器端面の一端を構成する溝を有する半導体レーザと、前記の溝を介して前記半導体レーザと結合された導波路とを有する光デバイスにおいて、前記半導体レーザと導波路とのそれぞれのコア幅が前記溝近傍においてテーパ状に縮小した構造を有することを特徴とする光デバイス。
IPC (2):
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (4)
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特開平3-063606
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特開昭64-032206
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特開平4-097206
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交差形光導波路
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平3-221854
Applicant:日本電信電話株式会社
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