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J-GLOBAL ID:200903000453086157
スパッタリング用チタンターゲットおよびその製造方法
Inventor:
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Applicant, Patent owner:
Agent (1):
生形 元重 (外1名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1996032829
Publication number (International publication number):1996311643
Application date: Jan. 25, 1996
Publication date: Nov. 26, 1996
Summary:
【要約】【目的】 コンタクトホールにおける成膜効率が高いスパッタリング用チタンターゲットを提供する。【構成】 最密充填面に対して垂直な(1 0 -1 0)および/または(1 1 -20)のX線回折強度がランダム配向の場合の1.1倍となり、且つ最密充填に対して平行な(0002)のX線回折強度がランダム配向の場合の1倍未満となるように、ターゲット面の結晶を配向させる。ターゲット面から飛び出すスパッタ粒子の方向が、そのターゲット面に対して垂直な方向に制御される。
Claim (excerpt):
基板表面に薄膜を形成するスパッタリングに使用されるチタンターゲットであって、前記基板表面に対向するターゲット面の結晶構造として、最密充填面に対して垂直な(1 0 -1 0)および/または(1 1 -2 0)のX線回折強度がランダム配向の場合の1.1倍以上であることを特徴とするスパッタリング用チタンターゲット。
IPC (3):
C23C 14/34
, H01L 21/203
, H01L 21/285
FI (3):
C23C 14/34 A
, H01L 21/203 S
, H01L 21/285 S
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (1)
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チタンスパッタリングターゲット
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平4-038418
Applicant:東ソー株式会社
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