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J-GLOBAL ID：200903000457810798

応力測定装置および半導体製造装置

Inventor： 太田 裕之 ,  西村 朝雄 ,  熊沢 鉄雄 ,  池田 修二
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 小川 勝男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995281290
Publication number (International publication number)：1997126913
Application date： Oct. 30, 1995
Publication date： May. 16, 1997
Summary：

【要約】【課題】高温真空中もしくは高温の成膜ガス中における薄膜の応力測定を可能にする。【解決手段】レーザをスリット状のシール窓,ヒータに設けたスリットを通り、薄膜の形成されていない基板裏面に向かって照射する。薄膜の種類や膜厚、あるいは測定時間の影響を受けず、高温真空中もしくは高温成膜ガス中での応力測定を可能とする。

Claim (excerpt)：

薄膜の付着した基板の反りから薄膜の応力を測定する装置において、薄膜形成面の裏面に光を照射し、その反対角度から該薄膜の応力を測定することを特徴とする応力測定装置。

IPC (4)：

G01L 1/00 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/31 ,  H01L 21/66

FI (4)：

G01L 1/00 B ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/31 Z ,  H01L 21/66 L