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J-GLOBAL ID：200903000563636047

半導体装置およびその製造方法

Inventor： 井上 薫 ,  池田 義人 ,  廣瀬 裕 ,  西井 勝則
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (1)： 岩橋 文雄 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002052727
Publication number (International publication number)：2003257996
Application date： Feb. 28, 2002
Publication date： Sep. 12, 2003
Summary：

【要約】【課題】 GaN系半導体による電界効果トランジスタのソース抵抗の低減、ドレイン電流の増大を図ることのできる半導体装置を提供する【解決手段】 GaN系半導体502の表面に適度の真空度においてプラズマ処理を施し、GaN系半導体502の表面を改質し、選択的に電子に対する表面ポテンシャルを低下させる。

Claim (excerpt)：

窒化ガリウム系半導体の表面をプラズマ中に曝すことにより、前記窒化ガリウム系半導体の電子に対する表面ポテンシャルを低下させる工程を少なくとも含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3)：

H01L 21/338 ,  H01L 29/778 ,  H01L 29/812

F-Term (12)：

5F102FA01 ,  5F102FA03 ,  5F102GA02 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ10 ,  5F102GL04 ,  5F102GM04 ,  5F102GM08 ,  5F102HC00 ,  5F102HC10

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 半導体装置の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-084336   Applicant：松下電器産業株式会社
• 特開平4-250635