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J-GLOBAL ID：200903000568500534
光近接効果補正方法
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
鈴江 武彦 (外6名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996339636
Publication number (International publication number)：1997319067
Application date： Dec. 19, 1996
Publication date： Dec. 12, 1997
Summary：
【要約】【課題】 ルールベース手法のように誤差を生じることなく、シミュレーション手法のように多大な時間を要することなく、光近接効果補正を良好に行う。【解決手段】 補正対象データが入力されると(S1)、該データ中で各々パターンとその回りのレイアウトに対応して予め求めておいた補正値を用いて補正を行う部分と、シミュレータに基づき補正量を算出して補正を行う部分とに分別される(S2)。例えば、メモリ中のゲート層にはシミュレーションベースの補正を行い、それ以外の部分のゲート層には活性ゲート幅のみに注目したルールを用いたルールベース補正が適用される(S3,S4)。この後、分割された、それぞれ光近接効果補正が施された領域が統合される(S5)。
Claim (excerpt)：
LSIパターン形成工程におけるパターン忠実度を制御するための光近接効果補正方法において、マスクパターン上の第1領域について、各々のパターンとその周辺のレイアウトに対応して予め求めておいた補正値を用い、前記第1領域の設計データに対して第1の補正を行うステップと、前記マスクパターン上の前記第1領域を除いた領域について、マスクの露光プロセスをシミュレートして補正量を算出してこれを用い、前記第1領域を除いた領域の設計データに対して第2の補正を行うステップとを具備することを特徴とする光近接効果補正方法。
IPC (2)：
FI (3)：
G03F 1/08 A
, H01L 21/30 502 P
, H01L 21/30 528
