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J-GLOBAL ID：200903000576009742

プラズマエッチング方法及びその装置

Inventor： 堀池 靖浩 ,  豊田 一行
Applicant, Patent owner： 国際電気株式会社 ,  堀池 靖浩
Agent (1)： 三好 祥二
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994248583
Publication number (International publication number)：1996088218
Application date： Sep. 16, 1994
Publication date： Apr. 02, 1996
Summary：

【要約】【目的】ヘリコン波を利用して高密度のプラズマを生成してエッチングを行う場合に、エッチング速度比を増大させ、エッチング特性を向上させ更に、プロセス条件のマージンを広げる。【構成】反応室の軸心方向に磁場を印加し、該反応室の周囲に巻設したコイルに高周波電力を印加して生成したプラズマを利用して被処理物のエッチングを行うプラズマエッチングに於いて、前記コイルに印加する高周波電力をパルス状とし、又プラズマを発生させる高周波電力とバイアス電力との周波数を同一にし、両電力の周波数の位相差を変更させる様にし、高周波電力をパルス状とし、断続的に印加することでエッチング特性を向上させ、又高周波電力とバイアス電力との周波数を同一にし、両電力の周波数の位相差を変更させることで、プロセス条件のマージンを広げる。

Claim (excerpt)：

反応室の軸心方向に磁場を印加し、該反応室の周囲に巻設したコイルに高周波電力を印加して生成したプラズマを利用して被処理物のエッチングを行うプラズマエッチングに於いて、前記コイルに印加する高周波電力をパルス状としたことを特徴とするプラズマエッチング方法。

IPC (3)：

H01L 21/3065 ,  C23F 4/00 ,  H05H 1/46

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 表面処理装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-244688   Applicant：アネルバ株式会社
• 特開平3-068773
  
• 特開平3-068773