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J-GLOBAL ID：200903050150737020

表面処理装置

Inventor：
中川 行人

About 中川 行人


Applicant, Patent owner：
アネルバ株式会社

About アネルバ株式会社


Agent (1)： 田宮 寛祉
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994244688
Publication number (International publication number)：1996083776
Application date： Sep. 13, 1994
Publication date： Mar. 26, 1996
Summary：
【要約】【目的】 放電用電力の間欠的供給によるプラズマ発生法と、基板への電力バイアスを両立させ、低圧力で高速処理が可能な低圧力高密度プラズマ表面処理装置の特徴を生かし、より広い範囲のプロセスに応用できるようにする。【構成】 基板処理用と放電用の真空容器11,12と、真空容器を減圧する排気機構15と、真空容器内に放電用ガスを導入するガス導入機構16と、ガスを放電させプラズマを発生させるための電力を供給する放電用電力供給機構17〜19と、基板保持機構13と、この基板保持機構にバイアスを与えるためのバイアス用電力供給機構21〜23を備え、放電用電力供給機構とバイアス用電力供給機構の各々の出力電力を同一周期で間欠的に出力させる変調信号を各電力供給機構に与える変調信号発生器24を設ける。
Claim (excerpt)：
真空容器と、この真空容器内を減圧状態にする排気機構と、前記真空容器内に放電用ガスを導入するガス導入機構と、前記ガスを放電させプラズマを発生させるための電力を供給する放電用電力供給機構と、基板保持機構と、この基板保持機構にバイアスを与えるためのバイアス用電力供給機構を備える表面処理装置において、前記放電用電力供給機構と前記バイアス用電力供給機構の各々の出力電力を同一周期で間欠的に出力させる変調信号を発生する変調信号発生器を設けたことを特徴とする表面処理装置。
IPC (7)：
H01L 21/205 ,  C23C 14/32 ,  C23C 16/50 ,  C23F 4/00 ,  H01L 21/203 ,  H01L 21/3065 ,  H01L 21/31
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (4)
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Cited by examiner (4)
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