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J-GLOBAL ID：200903000581895009

ダイヤモンド薄膜形成装置

Inventor： 松浦 正道 ,  日比野 幸信
Applicant, Patent owner： 日本真空技術株式会社
Agent (1)： 飯阪 泰雄
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993123469
Publication number (International publication number)：1994305886
Application date： Apr. 27, 1993
Publication date： Nov. 01, 1994
Summary：

【要約】[目的] 真空容器内で金属粒子等の不純物の混入しないダイヤモンド薄膜を形成すること。[構成] 真空容器内31に平行な一対の電極であるカソード電極32及びアノード電極33を配設し、一方のカソード電極32の材質をグラファイトとする。又、カソード電極32は高周波電源35と接続される。

Claim (excerpt)：

真空容器内にカソード電極とアノード電極とを対向して配設し、これら電極間に高周波電圧を印加する容量結合型の薄膜形成装置において、前記カソード電極の材質をグラファイトとすることを特徴とするダイヤモンド薄膜形成装置。

IPC (3)：

C30B 29/04 ,  C23C 16/26 ,  C23C 16/50

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• プラズマを用いるダイヤモンドの合成法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-212776   Applicant：科学技術庁無機材質研究所長
• 特開昭61-256640