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J-GLOBAL ID:200903000588689099
レーザ加工方法
Inventor:
,
,
,
Applicant, Patent owner:
Agent (3):
長谷川 芳樹
, 寺崎 史朗
, 石田 悟
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2005209073
Publication number (International publication number):2005313238
Application date: Jul. 19, 2005
Publication date: Nov. 10, 2005
Summary:
【課題】 加工対象物の表面に不必要な割れを発生させることなくかつその表面が溶融しないレーザ加工方法を提供する。【解決手段】 ウェハ状の加工対象物の内部において、加工対象物のレーザ光入射面から加工対象物の厚さ方向に第1の距離だけ離れた第1の位置、及び第1の距離より短い第2の距離だけ離れた第2の位置を決定する。その後、第1の位置に集光点を合わせてレーザ光を照射することにより、加工対象物の切断予定ラインに沿って、切断の起点となる第1の改質領域を加工対象物の内部に形成する。その後、第2の位置に集光点を合わせてレーザ光を照射することにより、加工対象物の切断予定ラインに沿って、切断の起点となる第2の改質領域を加工対象物の内部に形成する。【選択図】 図21
Claim (excerpt):
ウェハ状の加工対象物の内部において、前記加工対象物のレーザ光入射面から前記加工対象物の厚さ方向に第1の距離だけ離れた第1の位置、及び前記第1の距離より短い第2の距離だけ離れた第2の位置を決定する工程と、
前記第1の位置及び前記第2の位置を決定した後に、前記第1の位置に集光点を合わせてレーザ光を照射することにより、前記加工対象物の切断予定ラインに沿って、切断の起点となる第1の改質領域を前記加工対象物の内部に形成する工程と、
前記第1の改質領域を形成した後に、前記第2の位置に集光点を合わせてレーザ光を照射することにより、前記切断予定ラインに沿って、切断の起点となる第2の改質領域を前記加工対象物の内部に形成する工程と、を備えることを特徴とするレーザ加工方法。
IPC (4):
B23K26/38
, B23K26/40
, B28D5/00
, H01L21/301
FI (4):
B23K26/38 320
, B23K26/40
, B28D5/00 Z
, H01L21/78 B
F-Term (15):
3C069AA01
, 3C069BA08
, 3C069CA05
, 3C069CA06
, 3C069CA11
, 3C069EA05
, 4E068AE01
, 4E068CA02
, 4E068CA03
, 4E068CA04
, 4E068CC02
, 4E068CE05
, 4E068DA10
, 4E068DB12
, 4E068DB13
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (2)
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ガラス基板の切断方法及びその装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2000-009536
Applicant:三星エスディアイ株式会社
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光による被加工材の加工方法および加工装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平10-186264
Applicant:新明和工業株式会社
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