成膜方法およびそれを用いた半導体集積回路装置の製造方法

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：筒井大和
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994098268
Publication number (International publication number)：1995307308
Application date： May. 12, 1994
Publication date： Nov. 21, 1995
Summary：

【要約】【目的】多結晶シリコン膜やシリサイド膜の膜ストレスを低減し、膜ハガレや下地へのダメージを防止する。【構成】半導体基板1上に多結晶シリコン膜4を堆積する際、多結晶シリコン膜(4a)を薄く堆積した後、熱処理を行い、さらに多結晶シリコン膜(4b)を薄く堆積した後、熱処理を行うというように、多結晶シリコン膜4の堆積を複数回に分け、薄い多結晶シリコン膜(4a〜4d)を堆積するごとに熱処理を行うことで結晶化時のグレインの成長を抑制する。

Claim (excerpt)：

堆積後の熱処理によって結晶化する薄膜を基板上に堆積する際、膜の堆積と熱処理とを交互に複数回繰り返しながら所望の膜厚を得ることを特徴とする成膜方法。

IPC (5)：

H01L 21/28 301 , C23C 16/44 , H01L 21/205 , H01L 21/3205 , H01L 29/78

FI (3)：

H01L 21/88 P , H01L 21/88 Q , H01L 29/78 301 G

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

特開平4-150017
半導体素子のゲート電極の形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-281936 Applicant：現代電子産業株式会社

Cited by examiner (3)

特開平4-150017
特開平4-150017
半導体素子のゲート電極の形成方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-281936 Applicant：現代電子産業株式会社

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