磁気メモリ装置

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：宮園博一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001332280
Publication number (International publication number)：2002260377
Application date： Oct. 30, 2001
Publication date： Sep. 13, 2002
Summary：

【要約】【課題】増幅器(センスアンプ)の構成が複雑になるのを防止するとともに、高速な読み出しが可能な磁気メモリ装置を提供する。【解決手段】2つのTMR素子4aおよび4bと、2つのNMOSトランジスタ5aおよび5bとからなるメモリセル52と、NMOSトランジスタ5aおよび5bのゲートに接続されたワード線と、NMOSトランジスタ5aを介してTMR素子4aに接続されたビット線と、NMOSトランジスタ5bを介してTMR素子4bに接続された反転ビット線と、ビット線と反転ビット線とに接続されたセンスアンプ53とを備えている。そして、データの読み出し時に、選択されたワード線に、信号を入力するとともに、ワード線への信号の入力によってビット線と反転ビット線との間に生じた電位差をセンスアンプ53を用いて読み出す。

Claim (excerpt)：

強磁性トンネル効果を示す第1記憶素子および第2記憶素子と、前記第1および第2記憶素子にそれぞれ接続される第1および第2トランジスタとからなるメモリセルと、前記第1および第2トランジスタの制御端子に接続されたワード線と、前記第1トランジスタを介して前記第1記憶素子に接続されたビット線と、前記第2トランジスタを介して前記第2記憶素子に接続され、前記ビット線とビット線対を構成する反転ビット線と、前記ビット線と前記反転ビット線とに接続された増幅器とを備え、データの読み出し時に、選択された前記ワード線に、信号を入力するとともに、前記ワード線への信号の入力によって前記ビット線と前記反転ビット線との間に生じた電位差を前記増幅器を用いて読み出す、磁気メモリ装置。

IPC (4)：

G11C 11/14 , G11C 11/15 , H01L 27/105 , H01L 43/08

FI (4)：

G11C 11/14 Z , G11C 11/15 , H01L 43/08 Z , H01L 27/10 447

F-Term (5)：

5F083FZ10 , 5F083LA12 , 5F083LA16 , 5F083NA01 , 5F083NA08

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

磁気ランダムアクセスメモリ回路
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平11-124766 Applicant：日本電気株式会社

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