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J-GLOBAL ID：200903062522805620

磁気ランダムアクセスメモリ回路

Inventor： 三浦 貞彦 ,  沼田 秀昭
Applicant, Patent owner： 日本電気株式会社
Agent (1)： 山下 穣平
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999124766
Publication number (International publication number)：2000315383
Application date： Apr. 30, 1999
Publication date： Nov. 14, 2000
Summary：

【要約】【課題】 ウエハー上での場所に依存する磁気抵抗素子の特性のばらつきに特性が依存しないMRAM回路を提供する。【解決手段】 アドレスをデコードする行デコーダと列デコーダ、行デコーダに接続される複数の一対のセンス線、列デコーダに接続される複数のワード線、複数のセルペアを備え、一対のセンス線の両方の線は互いに隣接して配設され、セルペアは隣接して配設される記憶セルと参照セルを備え、記憶セルと参照セルは磁気抵抗素子を備え、複数の一対のセンス線と複数のワード線はマトリックス状に交差し、一対のセンス線とワード線との交点において、セルペアのうちの記憶セルが一対のセンス線の一方のセンス線とワード線とに接続され、セルペアのうちの参照セルが一対のセンス線の他方のセンス線とワード線とに接続されている。

Claim (excerpt)：

アドレスの一部をデコードする行デコーダと、前記アドレスの残りの部分をデコードする列デコーダと、前記行デコーダのデコード端子に接続される複数の一対のセンス線と、前記列デコーダのデコード端子に接続される複数のワード線と、複数のセルペアと、を備え、一対のセンス線の両方の線は互いに隣接して配設され、前記セルペアは隣接して配設される記憶セルと参照セルを備え、前記記憶セルと前記参照セルは磁気抵抗素子を備え、前記複数の一対のセンス線と前記複数のワード線はマトリックス状に交差し、一対のセンス線とワード線との交点において、前記セルペアのうちの記憶セルが前記一対のセンス線の一方のセンス線と前記ワード線とに接続され、前記セルペアのうちの参照セルが前記一対のセンス線の他方のセンス線と前記ワード線とに接続されていることを特徴とする磁気ランダムアクセスメモリ回路。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 磁気抵抗記憶素子、アレイおよび装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-022669   Applicant：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
• 特開昭59-055059