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J-GLOBAL ID：200903000617245910

窒化物半導体多色発光素子及びその製造方法

Inventor：
中村 修二

About 中村 修二


Applicant, Patent owner：
日亜化学工業株式会社

About 日亜化学工業株式会社


Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995321755
Publication number (International publication number)：1997162444
Application date： Dec. 11, 1995
Publication date： Jun. 20, 1997
Summary：
【要約】【目的】 窒化物半導体を用いて、一チップで多色発光できる素子とその製造方法を提供することにより、高精細なディスプレイを実現する。【構成】 基板上に第一の活性層を有する窒化物半導体層を形成した後、第一の活性層とは別に、第一の活性層とバンドギャップエネルギーが異なる第二の活性層を有する窒化物半導体層を部分的に成長させることにより、同一基板上に互いにバンドギャップエネルギーが異なる窒化物半導体よりなる活性層を有する単位発光素子が隔離して形成できるため、一チップで多色発光が可能となる。
Claim (excerpt)：
同一基板上に互いにバンドギャップエネルギーが異なる窒化物半導体よりなる活性層を有する単位発光素子が、それぞれ隔離して形成されていることを特徴とする窒化物半導体多色発光素子。
FI (2)：
H01L 33/00 F ,  H01L 33/00 C
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (5)
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Cited by examiner (8)
  • 特開昭60-009186
  • 特開昭61-087381
  • 特開平2-087685
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