3族窒化物半導体発光素子

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：藤谷修
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994248840
Publication number (International publication number)：1996088408
Application date： Sep. 16, 1994
Publication date： Apr. 02, 1996
Summary：

【要約】【目的】青、緑、赤の3原色発光の平面発光素子を得ること【構成】膜厚約2.0 μm、電子濃度 2×1018/cm3のSiドープのGaN から成るn層11、膜厚約0.5 μm、Znが濃度 1×1018/cm3で、Siが濃度 1×1018/cm3でドープされたIn0.08Ga0.92N から成る発光層12、膜厚約1.0 μm、ホール濃度2 ×1017/cm3のMgドープのGaN から成るp層13とで第1発光部Aが形成。n層21、Zn濃度 5×1019/cm3、Si濃度 5×1019/cm3のIn0.08Ga0.92N から成る発光層22、p層23とで第2発光部Bが形成。n層31、Zn濃度 5×1019/cm3のIn0.08Ga0.92N から成る発光層32、p層33とで第3発光部Cが形成。電極81、71、82、72、83、73と、溝61,62,63,64、91,92,93が形成。第1発光部A、第2発光部B、第3発光部Cで、それぞれ、青、緑、赤の発光が得られる。

Claim (excerpt)：

3族窒化物半導体(AlxGaYIn1-X-YN;X=0,Y=0,X=Y=0 を含む) を用いて、n伝導型を示すn層と、p伝導型を示すp層と、その間に介在する発光層が、狭いバンドギャップの半導体を広いバンドギャップの半導体で挟んだ構造のダブルヘテロ接合で形成された3層構造の発光部を1単位として同一基板上にり返し積層させた発光素子において、前記各発光部の前記各発光層におけるアクセプタ不純物又はドナー不純物の濃度を適正に設定することにより、各発光部から、それぞれ、青色、赤色、緑色の3原色を発光させることを特徴とする発光素子。

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (6)

窒素-3属元素化合物半導体発光素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-316598 Applicant：豊田合成株式会社, 赤崎勇, 天野浩
特開平4-321280
特開昭60-202971

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Cited by examiner (7)

窒素-3属元素化合物半導体発光素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-316598 Applicant：豊田合成株式会社, 赤崎勇, 天野浩
窒化ガリウム系化合物半導体発光素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平5-327762 Applicant：日亜化学工業株式会社
半導体発光素子およびその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-004720 Applicant：旭化成工業株式会社

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