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J-GLOBAL ID：200903000640975739

半導体記憶装置

Inventor： 古谷 清広
Applicant, Patent owner： 三菱電機株式会社
Agent (1)： 深見 久郎 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992203717
Publication number (International publication number)：1993234362
Application date： Jul. 30, 1992
Publication date： Sep. 10, 1993
Summary：

【要約】【目的】 半導体記憶装置のチップ面積を増加させないで、アクセス時間を高速化する。【構成】 センスアンプ領域1とワード線くいうち領域5とで囲まれた空き領域6に、副I/O線対の電位差を検知して主I/O線対に出力する読出ゲート6Rと、主I/O線対のデータを副I/O線対に転送する書込ゲートとを設けた半導体記憶装置。

Claim (excerpt)：

行および列方向に配置された複数のメモリセル領域と、外部的に発生されたデータおよび内部的に発生されたデータを伝達するための主データ入出力線対と、前記列方向のメモリセル領域間の少なくとも1つに設けられ、隣接するメモリセル領域に対してデータの伝達を行なうための副データ入出力線対と、前記列方向のメモリセル領域間の少なくとも1つに設けられ、隣接のメモリセル領域の各ビット線対と前記副データ入出力線対との間のデータ入出力制御を行なうための複数のデータ入出力制御手段と、前記行方向のメモリセル領域間に設けられ、前記ワード線のインピーダンスを下げるための複数のインピーダンス低減手段と、前記データ入出力制御手段が設けられる領域と前記インピーダンス低減手段が設けられる領域とで囲まれる領域に設けられ、前記副データ入出力線対の電位差を検知して前記主データ入出力線対に出力する複数の読出手段と、前記データ入出力制御手段が設けられる領域と前記インピーダンス低減手段が設けられる領域とで囲まれる領域に設けられ、前記主データ入出力線対のデータを前記副データ入出力線対に転送する書込手段とを含むことを特徴とする半導体記憶装置。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 半導体メモリ装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-218266   Applicant：株式会社日立製作所, 日立デバイスエンジニアリング株式会社
• 副入出力線を有するデータ伝送回路
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-339469   Applicant：サムサンエレクトロニクスシーオー.,エルテイーデイー