半導体レーザモジュールおよびレーザ光源

Inventor： , , , , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (2)：谷義一 , 阿部和夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2007236870
Publication number (International publication number)：2009070979
Application date： Sep. 12, 2007
Publication date： Apr. 02, 2009
Summary：

【課題】単一波長で狭帯域なスペクトル線幅を有する半導体レーザモジュールおよびレーザ光源を提供する。【解決手段】半導体レーザと、半導体レーザの素子長で決まる共振波長間隔よりも狭い反射帯域を有するファイバグレーティングとを組み合わせた半導体レーザモジュールにおいて、半導体レーザからの出射光を、平行光に変換する第1レンズと、平行光をファイバに光学的に結合させる第2レンズと、第1レンズと第2レンズとの間の光軸上に配置され、半導体レーザの発振波長で屈折率が負となる光学材料とを備えた。【選択図】図4

Claim (excerpt)：

半導体レーザと、該半導体レーザの素子長で決まる共振波長間隔よりも狭い反射帯域を有するファイバグレーティングとを組み合わせた半導体レーザモジュールにおいて、前記半導体レーザからの出射光を、平行光に変換する第1レンズと、前記平行光をファイバに光学的に結合させる第2レンズと、前記第1レンズと前記第2レンズとの間の光軸上に配置され、前記半導体レーザの発振波長で屈折率が負となる光学材料とを備えたことを特徴とする半導体レーザモジュール。

IPC (3)：

H01S 5/14 , H01S 5/022 , G02F 1/37

FI (3)：

H01S5/14 , H01S5/022 , G02F1/37

F-Term (14)：

2K002AB12 , 2K002BA01 , 2K002GA10 , 2K002HA18 , 5F173AB35 , 5F173AB43 , 5F173AB50 , 5F173AR04 , 5F173ME23 , 5F173ME85 , 5F173ME87 , 5F173MF14 , 5F173MF39 , 5F173MF40

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

波長変換素子用薄膜基板の製造方法及び波長変換素子の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-337313 Applicant：日本電信電話株式会社

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