Pat
J-GLOBAL ID:200903000645531014
光電変換装置及び放射線撮像装置
Inventor:
,
,
Applicant, Patent owner:
Agent (3):
山下 穣平
, 志村 博
, 永井 道雄
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2006019032
Publication number (International publication number):2007201246
Application date: Jan. 27, 2006
Publication date: Aug. 09, 2007
Summary:
【課題】欠陥検査工程において欠陥画素の特定が容易で、かつ狭画素ピッチの光電変換装置及び放射線撮像装置において、特性低下を防止する。【解決手段】光電変換素子1と、光電変換素子に電気的に接続される信号転送用TFT(薄膜トランジスタ)2と、光電変換素子に電気的に接続される、光電変換素子にバイアスを印加するためのリセット用TFT3と、を有する画素が、二次元状に絶縁性基板上に配設され、光電変換素子1と、信号転送用TFT2及びリセット用TFT3とが共通のコンタクトホール9を介して電気的に接続されている。信号転送用TFT2のソース又はドレイン電極と、リセット用TFT3のソース又はドレイン電極とが共通の導電層からなる。【選択図】図1
Claim (excerpt):
少なくとも光信号を電気信号に変換する変換素子と、前記変換素子に電気的に接続される信号転送用スイッチ素子と、前記変換素子に電気的に接続される、前記変換素子にバイアスを印加するためのリセット用スイッチ素子と、を有する画素が、二次元状に絶縁性基板上に配設された光電変換装置であって、
前記変換素子と、前記信号転送用スイッチ素子及び前記リセット用スイッチ素子とが共通のコンタクトホールを介して電気的に接続されていることを特徴とする光電変換装置。
IPC (3):
H01L 27/146
, G01T 1/20
, G01T 1/24
FI (4):
H01L27/14 C
, G01T1/20 G
, G01T1/20 E
, G01T1/24
F-Term (24):
2G088EE29
, 2G088FF02
, 2G088GG19
, 2G088GG20
, 2G088GG21
, 2G088JJ05
, 2G088JJ09
, 2G088JJ33
, 2G088JJ37
, 4M118AA08
, 4M118AA09
, 4M118AB01
, 4M118BA05
, 4M118CA02
, 4M118CA11
, 4M118CB06
, 4M118CB11
, 4M118DD12
, 4M118FB03
, 4M118FB09
, 4M118FB13
, 4M118FB19
, 4M118GA10
, 4M118HA26
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (1)
-
放射線検出装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2002-329924
Applicant:キヤノン株式会社
Cited by examiner (2)
-
放射線検出装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2002-329924
Applicant:キヤノン株式会社
-
撮像装置、放射線撮像装置及び放射線撮像システム
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2003-381372
Applicant:キヤノン株式会社
Return to Previous Page