撮像装置、放射線撮像装置及び放射線撮像システム

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (2)：山下穣平 , 志村博
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003381372
Publication number (International publication number)：2004179645
Application date： Nov. 11, 2003
Publication date： Jun. 24, 2004
Summary：

【課題】欠陥部分のレーザーリペアによる加工を安定して行う。【解決手段】基板上に、入射する電磁波を電気信号に変換する半導体変換素子と半導体変換素子に接続されたスイッチ素子とが対となる複数の画素が2次元に配列され、一方向に配列された複数の前記スイッチ素子に共通接続された駆動配線201と、一方向とは異なる方向に配列された複数のスイッチ素子に共通接続された信号配線203とを有し、スイッチ素子は第一の半導体層を含み、半導体変換素子は前記スイッチ素子の形成後に形成され、且つ前記第一の半導体層の形成後に形成された第二の半導体層を含む、撮像装置であって、半導体変換素子の電極9は、駆動配線201、スイッチ素子の電極及び信号配線203のうちの二つが互いに重ならない領域において、駆動配線201上の少なくとも一部及びスイッチ素子の電極上の少なくとも一部を除くように形成されている。【選択図】図4

Claim (excerpt)：

基板上に、入射する電磁波を電気信号に変換する半導体変換素子と前記半導体変換素子に接続されたスイッチ素子とが対となる複数の画素が2次元に配列され、一方向に配列された複数の前記スイッチ素子に共通接続された駆動配線と、前記一方向とは異なる方向に配列された複数の前記スイッチ素子に共通接続された信号配線とを有し、前記スイッチ素子は第一の半導体層を含み、前記半導体変換素子は前記スイッチ素子の形成後に形成され、且つ前記第一の半導体層の形成後に形成された第二の半導体層を含む、撮像装置であって、前記半導体変換素子の電極は、前記駆動配線、前記スイッチ素子の電極及び前記信号配線のうちの二つが互いに重ならない領域において、少なくとも、前記駆動配線上の一部及び前記スイッチ素子の電極上の一部を除くように形成されていることを特徴とする撮像装置。

IPC (9)：

H01L27/146 , G01T1/20 , G01T1/24 , H01L27/14 , H01L29/786 , H01L31/02 , H01S3/00 , H04N5/32 , H04N5/335

FI (10)：

H01L27/14 C , G01T1/20 E , G01T1/20 G , G01T1/24 , H01S3/00 B , H04N5/32 , H04N5/335 E , H01L31/02 A , H01L27/14 K , H01L29/78 613Z

F-Term (71)：

2G088EE01 , 2G088EE30 , 2G088FF02 , 2G088GG19 , 2G088GG20 , 2G088GG21 , 2G088JJ05 , 2G088JJ09 , 2G088JJ31 , 2G088JJ33 , 2G088JJ37 , 4M118AA10 , 4M118AB01 , 4M118BA05 , 4M118CA05 , 4M118CA07 , 4M118CA32 , 4M118CA40 , 4M118CB05 , 4M118CB06 , 4M118CB11 , 4M118CB14 , 4M118EA01 , 4M118EA05 , 4M118FB09 , 4M118FB13 , 4M118FB16 , 4M118GA10 , 5C024AX12 , 5C024CY47 , 5C024GX01 , 5C024GY31 , 5F072YY08 , 5F088BA18 , 5F088BB03 , 5F088BB07 , 5F088FA09 , 5F088KA08 , 5F088LA07 , 5F110AA26 , 5F110BB10 , 5F110CC07 , 5F110DD02 , 5F110EE04 , 5F110EE06 , 5F110EE14 , 5F110EE44 , 5F110FF03 , 5F110FF29 , 5F110GG02 , 5F110GG15 , 5F110GG25 , 5F110GG44 , 5F110HK04 , 5F110HK06 , 5F110HK09 , 5F110HK16 , 5F110HK22 , 5F110HL04 , 5F110HL06 , 5F110HL11 , 5F110HL23 , 5F110NN02 , 5F110NN14 , 5F110NN24 , 5F110NN27 , 5F110NN33 , 5F110NN35 , 5F110NN71 , 5F110QQ09 , 5F110QQ12

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (9)

米国特許第5,498,880号明細書
米国特許第5,619,033号明細書
米国特許第6,332,016号明細書

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Cited by examiner (4)

イメージセンサ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-022355 Applicant：シャープ株式会社
2次元密着型イメージセンサ
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-229674 Applicant：富士ゼロックス株式会社
光検出器
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-240635 Applicant：株式会社東芝

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