半導体及びTFT-LCDの製造装置

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：福森久夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995276046
Publication number (International publication number)：1997167698
Application date： Oct. 24, 1995
Publication date： Jun. 24, 1997
Summary：

【要約】【課題】本発明は、電極間に生起されたプラズマ中の反応副生成物ガスを速やかに除去でき、かつチャンバ内壁からの反応副生成物ガスの取り込みが少ない半導体及びTFT-LCDの製造装置を提供する。【解決手段】本発明の半導体及びTFT-LCDの製造装置は、プラズマを用いて、基体上に成膜又は基体上をエッチングする半導体製造装置において、プラズマ励起機能を有する電極Iと基板保持機能を有する電極IIとの間隔Dが、プラズマが生起可能な最小値以上、30mm以下であり、かつ前記電極Iと前記電極IIの配置が平行平板型であることを特徴とする。

Claim (excerpt)：

プラズマを用いて、基体上に成膜又は基体上をエッチングする半導体及びTFT-LCDの製造装置において、プラズマ励起機能を有する電極Iと基板保持機能を有する電極IIとの間隔Dが、プラズマが生起可能な最小値以上、30mm以下であり、かつ、前記電極Iと前記電極IIの配置が平行平板型であることを特徴とする半導体及びTFT-LCDの製造装置。

IPC (5)：

H05H 1/46 , C23C 16/50 , C23F 4/00 , H01L 21/205 , H01L 21/3065

FI (5)：

H05H 1/46 M , C23C 16/50 , C23F 4/00 A , H01L 21/205 , H01L 21/302 C

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (7)

特開平1-189125
プラズマCVD装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-120396 Applicant：松下電器産業株式会社
特開昭62-287071

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