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J-GLOBAL ID：200903000671457175

半導体集積回路

Inventor： 川原 孝司
Applicant, Patent owner： 川崎マイクロエレクトロニクス株式会社
Agent (2)： 渡辺 望稔 ,  三和 晴子
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2006029720
Publication number (International publication number)：2007214187
Application date： Feb. 07, 2006
Publication date： Aug. 23, 2007
Summary：

【課題】隣接する2つのボンディングワイヤ間の間隔が狭くなった場合でも、隣接するボンディングワイヤからの相互結合によるノイズの影響を低減することができる半導体集積回路を提供する。【解決手段】I/Oセルが半導体チップの外周部に沿って複数配置され、各々のI/Oセルのボンディングパッドと半導体パッケージの対応するリードフレームとが各々のボンディングワイヤで接続された半導体集積回路である。隣接する2つのI/Oセルの間に、I/Oセルと同様の構成のレプリカI/Oセルを配置し、2つのI/Oセルのボンディングパッドとリードフレームとを各々接続する2つのボンディングワイヤの間に、レプリカI/Oセルのボンディングパッドとリードフレームとを接続するボンディングワイヤを挿入し、レプリカI/Oセルのボンディングワイヤ上に出力される信号を所定電位にする。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

I/Oバッファセルおよび該I/Oバッファセルに接続されたボンディングパッドからなるI/Oセルが、半導体チップの外周部に沿って複数配置され、各々の前記I/Oセルのボンディングパッドと半導体パッケージの対応するリードフレームとが各々のボンディングワイヤで接続された半導体集積回路であって、 少なくとも1つの、隣接する2つのI/Oセルの間に、該I/Oセルと同様の構成のレプリカI/Oセルを配置し、なおかつ、前記2つのI/Oセルのボンディングパッドとリードフレームとを各々接続する2つのボンディングワイヤの間に、前記レプリカI/Oセルのボンディングパッドとリードフレームとを接続するボンディングワイヤを挿入し、該レプリカI/Oセルのボンディングワイヤ上に出力される信号を所定の電位とすることを特徴とする半導体集積回路。

IPC (2)：

H01L 21/822 ,  H01L 27/04

FI (2)：

H01L27/04 H ,  H01L27/04 E

F-Term (8)：

5F038BE07 ,  5F038BH19 ,  5F038CA03 ,  5F038CA10 ,  5F038CA18 ,  5F038DF01 ,  5F038DF07 ,  5F038EZ20

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

• 半導体チップパッケージ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-343934   Applicant：三星電子株式会社