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J-GLOBAL ID：200903000727778115

半導体発光装置及びその製造方法

Inventor： 大中原 繁壽 ,  川路 次男 ,  ▲真▼田 研一
Applicant, Patent owner： 松下電子工業株式会社
Agent (1)： 岩橋 文雄 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998324690
Publication number (International publication number)：2000150966
Application date： Nov. 16, 1998
Publication date： May. 30, 2000
Summary：

【要約】【課題】 発光輝度の低下がなくしかもボンディング用のワイヤの断線を伴うことなくたとえば白色発光に変換できる半導体発光装置の提供。【解決手段】 発光素子2を、その搭載面と反対側の面を主光取出し面としてリードフレーム1のマウント部1cに搭載してこのマウント部1cとともに封止用の樹脂ヘッド6によって封止する半導体発光装置において、発光素子2の表面からマウント部1cの表面にかけて蛍光物質の沈降によって形成される蛍光膜層7で被覆する。

Claim (excerpt)：

発光素子を、その搭載面と反対側の面を主光取出し面としてリードフレームや基板等の基材のマウント部に搭載し、前記発光素子をマウント部とともに封止用の樹脂によって封止する半導体発光装置において、前記発光素子の表面から前記マウント部の表面にかけて、溶剤中に混合した蛍光物質の沈降によって形成される蛍光膜層で被覆し、前記封止用の樹脂を前記蛍光膜層に積層してなる半導体発光装置。

F-Term (12)：

5F041AA11 ,  5F041AA12 ,  5F041AA25 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CB27 ,  5F041DA07 ,  5F041DA21 ,  5F041DA25 ,  5F041DA29 ,  5F041DA44 ,  5F041FF01

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 陰極線管の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-343815   Applicant：株式会社日立製作所, 日立デバイスエンジニアリング株式会社
• 光半導体装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-282505   Applicant：株式会社東芝, 日本合成ゴム株式会社
• 発光ダイオード及びその形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平9-192779   Applicant：日亜化学工業株式会社